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マイクロ波プラズマ

プラズマ源

PECVDマイクロ波プラズマ源 HI-WAVE

PDF(2.27MB) HI-WAVE

CPSKFDN40ECR2DP

HI-WAVEマイクロ波プラスマ源は数Wの電力と約1Pa~10Paの圧力でプラズマ放電が可能です。同様にこの同軸型プラズマ源は、低損失で設計され、整合器を必要としません。また、ガスの圧力により反射電力が増えることはありません。プラズマ源をマルチ構成で使用した場合、プラズマ密度は1012cm-3以上を得ることができます。セ-ラム社製ソリッドステート電源を使用することにより1Wステップでプラズマのコントロ-ルが可能です。ソリッドステート電源は、発振周波数を変化させることによりミスマッチングを抑え、HI-WAVEを最適な条件で使用することができまです。HI-WAVEは広くR&D から製造ラインまで使用され、その用途は、PECVD(ナノ結晶ダイヤモンドの合成)、大面積プロセス処理、表面処理(クリーニング等)、殺菌処理などに適しています。

特長

マルチソ-スプラズマでは、ソリッドステ-ト電源とプラズマ源が1対1で構成されているため、各プラズマ源の入力電力を個々にコントロ-ルすることができます。このことにより、マイクロ波電力の出力がプラズマ源ごとに調整可能なため、プラズマ源間のロスを均一にすることができ、より広い表面処理が可能です。

仕様
型式CPSKFDN40HP2D
使用周波数範囲2400MHz-2500MHz
最大入力電力200W
使用圧力約1Pa~約10Pa
プラズマ密度
使用ガス
Ar-O2-N2
One source5 × 1010cm-3~2×1011cm-3 at 160mm
Multisource約1011cm-3~1012cm-3 at 100mm
接続真空フランジStandard KF DN40 flange
RF接続コネクタN型コネクタ(Female)
冷却方式水冷式 0.5L/min プッシュコネクタ式 Φ6mm
O2@10Pa, 8 x HI-WAVE 1600W (8 x 200W)
N2@10Pa, 8 x HI-WAVE 1600W (8 x 200W)
実装例

写真は、8個のHI-WAVEをマウントしたリアクターです。
最大マウント数は16個で、Φ300mmのウェハーまで処理が可能です。

HI-WAVEとソリッドステート電源の接続図


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