Silicon Germanium: Technology, Modeling, and Design

シリコンゲルマニウム(SiGe)のトランジスタは、通信IC設計の分野に非常に貢献し、周波数・ノイズ・電流回路の問題に大幅な改善をもたらすことが立証されています。本書を読むことでシリコンゲルマニウム技術を応用した設計のプロセスを実践的に、深く学習することができ、またその技術がどのようにして最新設計を生み出したかを理解することができます。シリコンゲルマニウム技術を応用した最も重要な設計に精通するようになるでしょう。シリコンゲルマニウムがCMOSやSOIに利用されるようになったトピックも紹介されています。

Contributors.
Foreword.
Preface.
Acknowledgments.
Acronyms
　　 Introduction.
　　 A Historical Perspective at IBM.

1. Technology Development.

1-1 Active Devices

1-2 Technology Development: Advanced Passives and ESD Protection

1-3 Process Development

1-4 Technology Implications in SiGe Design

2. Modeling and Characterization

2-1 Predictive Modeling

2-2 Characterization

2-3 Compact-Model Development: Active Devices

2-4 Compact-Model Development: Acvanced Passives

3. Design Automation and Signal Integrity

3-1 Design Automation Overview

3-2 ESD: Best-Practice CAD Implementation

3-3 Interconnect Extraction and Modeling

3-4 Substrate Noise Isolation and Modeling

4. Leading-Edge Applications

4-1 Wired Communications: SONET Design

4-2 Wireless Design: A Direct Conversion Receiver IC for WCDMA

4-3 Wireless Design: Ericsson Power-Amplifier Design

4-4 Memory Design: A 32-Word by 32-Bit Three-Port Bipolar Register File

Appendix. Summary of IBM Foundry Offerings

Index.

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