マイクロ波プラズマ源
PECVDマイクロ波プラズマ源 HI-WAVE
CPSKFDN40ECR2DP HI-WAVE(PDF)
HI-WAVEマイクロ波プラスマ源は数Wの電力と約1Pa～10Paの圧力でプラズマ放電が可能です。同様にこの同軸型プラズマ源は、低損失で設計され、整合器を必要としません。また、ガスの圧力により反射電力が増えることはありません。プラズマ源をマルチ構成で使用した場合、プラズマ密度は1012cm-3以上を得ることができます。セ－ラム社製ソリッドステート電源を使用することにより1Wステップでプラズマのコントロ－ルが可能です。ソリッドステート電源は、発振周波数を変化させることによりミスマッチングを抑え、HI-WAVEを最適な条件で使用することができまです。HI-WAVEは広くR&D から製造ラインまで使用され、その用途は、PECVD(ナノ結晶ダイヤモンドの合成)、大面積プロセス処理、表面処理（クリーニング等）、殺菌処理などに適しています。
特 長
マルチソ－スプラズマでは、ソリッドステ－ト電源とプラズマ源が1対1で構成されているため、各プラズマ源の入力電力を個々にコントロ－ルすることができます。このことにより、マイクロ波電力の出力がプラズマ源ごとに調整可能なため、プラズマ源間のロスを均一にすることができ、より広い表面処理が可能です。
仕 様
| 型式 | CPSKFDN40HP2D | |
|---|---|---|
| 使用周波数範囲 | 2400MHz-2500MHz | |
| 最大入力電力 | 200W | |
| 使用圧力 | 約1Pa～約10Pa | |
| プラズマ密度 使用ガス Ar-O2-N2 |
One source | 5 × 1010cm-3～2×1011cm-3 at 160mm |
| Multisource | 約1011cm-3～1012cm-3 at 100mm | |
| 接続真空フランジ | Standard KF DN40 flange | |
| RF接続コネクタ | N型コネクタ(Female) | |
| 冷却方式 | 水冷式 0.5L/min プッシュコネクタ式 Φ6mm | |
O2@10Pa, 8 x HI-WAVE 1600W (8 x 200W)
N2@10Pa, 8 x HI-WAVE 1600W (8 x 200W)
実装例
写真は、8個のHI-WAVEをマウントしたリアクターです。
最大マウント数は16個で、Φ300mmのウェハーまで処理が可能です。
最大マウント数は16個で、Φ300mmのウェハーまで処理が可能です。
HI-WAVEとソリッドステート電源の接続図
